實現(xiàn)半導體3D結(jié)構(gòu)中“晶圓對晶圓鍵合”工序的高套刻精度

銳布 Litho Booster 1000

尼康株式會社正在加速推進其最新一代對準站“銳布 Litho Booster 1000”的開發(fā)工作。該設(shè)備能夠在曝光工藝前對晶圓進行高精度測量，并將補正值前饋給光刻機，從而大幅提升套刻精度。“銳布 Litho Booster 1000”計劃于2026年下半年正式上市。此外，對準站是一種可兼容尼康及其他廠商光刻機的裝置。自2018年以來，尼康已將該類產(chǎn)品推向市場。

近年來，除CMOS圖像傳感器外，邏輯器件和NAND閃存等半導體產(chǎn)品也紛紛引入利用垂直空間的3D結(jié)構(gòu)，預(yù)計未來DRAM同樣將采用這一先進架構(gòu)。在利用多臺光刻機進行多層結(jié)構(gòu)曝光的制造工藝中，尤其是在晶圓對晶圓鍵合環(huán)節(jié)，晶圓極易發(fā)生形變或位移現(xiàn)象。隨著行業(yè)對更高精度、更高密度測量的需求不斷增長，如何精準測量這些形變與位移，已成為推動半導體制造技術(shù)進步的重要課題。

“銳布Litho Booster 1000”在保持高生產(chǎn)效率的同時，通過實現(xiàn)更高精度的多點及絕對值測量，進一步提升了半導體制造工藝中的良率。值得一提的是，本項目的部分成果得益于日本新能源產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開發(fā)機構(gòu)（NEDO）的委托研發(fā)支持。